彭英才，男，教授，博士生導師。1974年畢業于bevictor伟德官网，微電子學專業，獲得工學學士學位。主要工作經曆有：1990年-1991年日本豐橋技術科學大學訪問學者；1996年-1998年北京航空航天大學高級訪問學者，主要進行矽基納米薄膜的PECVD生長制備與電學特性研究；2000年-2001年，日本廣島大學訪問研究員，主要進行矽量子點的自組織生長與發光特性研究；2004年9-10月，2010年4-5月，2011年8-10月作為客座教授，赴日本東京理科大學進行學術訪問與交流，并應邀作了相關專題學術報告。1974年至今在bevictor伟德官网工作。現為微電子學與固體電子學專業碩士研究生指導教師。
研究方向
主要從事矽基納米結構光電信息薄膜材料的沉積生長、結構表征、電學特性、光學特性與量子器件的研究。
科研項目
1. 河北省自然基金項目：大晶粒多晶矽薄膜的可控成核高頻感應加熱CVD生長與光電特性研究E200800626(2008-2011)，主持人
2. 河北省自然基金項目：晶粒尺寸和密度分布可控的矽基納米材料的激光燒蝕沉積研究503125（2003-2005），主持人
3. 南京大學固體微結構國家重點實驗室開放實驗室課題(2011-2013)，主持人
4. 中國科學院半導體所開放課題：Si納米量子點的自組織生長與發光特性研究（2007-2009），主持人
代表論文
1. Y.C.Peng（彭英才）,G.S.Fu（傅廣生）,W.Yu,S.Q.Li,Y.L.Wang（王英龍）.Crystallization of amorphous Si films by pulsed laser annealing and their structural characteristics.Semicond.Sci.Technol.,2004,19:759-763.
2. Y.C.Peng（彭英才）,X.W.Zhao（趙新為）,G.S.Fu（傅廣生）. Progress of Si-based nanocrystalline luminescent materials.Chinese Science Bulletin,2002,47:1233-1242.
3. 彭英才，趙新為，傅廣生。SI納米量子點發光材料的研究進展。科學通報，2002,47:721-736
4. Peng yingcai（彭英才）,Fan Zhidong,Bai zhenhua,Zhao xinwei（趙新為）,Lou jianzhong,Cheng xu.Blue luminescent properties of silicon nanowires grown by a solid-liquid-solid method.Chin.Phys.Lett.,2010,27(5):057305-(1-3).
5. Yingcai PENG(彭英才),Xinwei ZHAO（趙新為）,Guangsheng FU（傅廣生）.Progress of quantum-dot photoelectronic devices.Nanoscience,2007,12:30-34.
6. Y.L.Wang（王英龍）,G.S.Fu（傅廣生）,Y.C.Peng（彭英才）,Y.Zhou,L.Z.Chu,R.M.Zhang.Influence of inert gas pressure on growing rate of nanocrystalline silicon films prepared by pulsed laser deposition.Chinese Physics Letters,2004.21:201-203.
7. Yingcai PENG(彭英才),Seiichi MIYAZAK.Blue light emission properties and device applications of the nanostructured materials.Nanoscience,2006,11:293-297.
8. Y.C.Peng（彭英才）,G.S.Fu（傅廣生）,Y.L.Wang（王英龍）,Y.Shang.Progress of Si -based optoelectronic devices. Semicond.Photo.Technol.,2004,10:158-163.
9. Yingcai Peng（彭英才）,Xingwei ZHAO（趙新為）,Guangsheng FU（傅廣生）.Progress of namostructures used for the Si-based light sources .Nanoscience,2006,3:219-224.
10. 彭英才，範志東，白振華，馬蕾.Si納米線的固-液-固可控生長及其形成機理分析.物理學報,2010,59(2):1169-1174
11. 彭英才，池田彌央，宮崎誠一.Si納米量子點的LPCVD自組織化形成及其生長機理分析.物理學報，2003,52:3108-3113
12. 彭英才，竹内耿平，稻毛信彌，宮崎誠一。SiO2膜的薄層化對自組織生長Si納米量子點發光特性的影響.半導體學報，2002,23:267-270
13. 彭英才，傅廣生.量子點太陽電池的探索.材料研究學報，2009,23（5）：449-457
14. 彭英才，趙新為，傅廣生.晶粒有序Si基納米發光材料的自組織生長.材料研究學報，2004,18:449-460
15. 彭英才，傅廣生，趙新為.實現受激光發射的Si基納米材料與結構.材料研究學報.2007，21:1-10
16. 彭英才，稻毛信彌，池田彌央，宮崎誠一.LPCVD自組織生長Si納米量子點的發光機制分析.發光學報，2002,23:261-264
17. 彭英才，康建波，馬蕾，張雷，王俠，範志東.摻硼納米晶粒多晶Si薄膜的結構特征與電學特性.人工晶體學報，2008,37（2）：471-440
18. 馬蕾，張雷，王俠，彭英才.不同襯底表面上大晶粒多晶Si薄膜的制備.人工晶體學報，2008,37（6）：1505-1509
19. 彭英才，傅廣生，王英龍，尚勇.提高摻铒矽基納米材料發光效率的探索.人工晶體學報，2005,34:183-189
20. 彭英才，趙新為,傅廣生，王英龍.實現受激光發射探索Si基激光器.人工晶體學報.2005,34：948-953
