報告題目：三維集成電路設計介紹與實例

報告專家：呂超 助理教授 美國南伊利諾伊大學

報告時間：2017年6月7日上午10：00

報告地點：本部電信樓三樓CAD實驗室

報告摘要：随着晶體管溝道長度達到20-30納米的範圍，摩爾定律的效應正在減慢。CMOS技術正在遇到諸如工藝随機變動，漏電流增加，光刻限制和産量可靠性的問題。全球投入了大量的研究工作來克服這些問題，并使得摩爾定律可以繼續下去。晶體管溝道縮小所帶來的好處即将結束，進一步整合産品尺寸和能源效率的願望并沒有結束，消費者仍然希望以更低的成本和更高的功率效率獲得更多的功能。研究人員近年已經提出了使用矽通孔互連的多個矽片堆疊的三維集成電路技術，并且其中一些應用在一些産品中。在這次演講中，根據我在美國的工作經驗，将概述三維集成電路的發展，讨論它的優點，挑戰，制作過程，電氣特性，并介紹現有的幾個工業界的設計實例。

報告人簡介：呂超，2004年本科畢業于南開大學微電子專業，2007年碩士畢業于香港科技大學，2012年畢業于美國普渡大學并獲得電子與計算機專業博士學位,師從于國際集成電路學界領軍人物Kaushik Roy教授（IEEE院士,講席教授）。在美國波士頓和芝加哥的高科技創業公司就職3年後，2015年起任職于美國南伊利諾伊大學助理教授，領導大規模集成電路系統設計實驗室。該實驗室成立于2015年,得到美國國家級嵌入式系統研究中心的大力支持。現有博士學生三名,配備了高性能服務器,Altera FPGA, Cadence、Synopsys等全套仿真軟件,可以滿足數字、模拟、數模混合等IC設計流程。

主要學術業績：憑借出色的學術研究成果和豐富的業界産品開發經曆，呂超博士是國際大規模集成電路設計領域的知名青年學者。他的主要研究方向為新一代納米級大規模集成電路研究，集成電路新型器件-系統聯合設計優化，新一代H.265視頻壓縮芯片的開發和優化。作為主要貢獻者參與了美國國家自然科學基金項目1項，英特爾公司和高通公司的研發項目，主持了美國南伊利諾伊大學科研項目2項，共計研究經費82萬美元。近五年發表學術論文18篇，其中以第一作者或通訊作者發表論文9篇；單篇論文最高被引用次數56次。谷歌學術搜索顯示引用次數424，個人H指數達10。擁有2項正式美國專利,和中國/美國專利申請各1項。集成電路設計是一個應用非常強的領域，其最好的期刊的影響因子隻有3和2.528.呂超博士的文章發表在集成電路領域的頂級期刊，IEEE Transactions on VLSI Systems (影響因子1.356),IEEE Transactions on Electron Device (影響因子2.472),IEEE Journal of Display Technology (影響因子2.241),IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems (影響因子1.524)等等。呂超博士的研究成果在美國，德國，法國等多個重要會議上被報告，獲得2007年電氣和電子工程師協會國際低功耗電子設計研讨會最佳論文獎，2014年國際工程師和計算機科學家研讨會的最佳論文獎，2016年電氣和電子工程師協會片上系統芯片研讨會最佳論文獎提名。