同光晶體成立于2012年，注冊資本1.69億元，是中科院半導體所的合作單位，專業從事關鍵芯片材料碳化矽單晶襯底的研發和生産。企業現有職工260餘人，2020年銷售收入實現近2億元，是2019年的十幾倍。

一、企業基本情況

目前，同光晶體投資建設碳化矽單晶生長爐200餘台，搭建了從晶體生長、襯底加工，到品質檢測等國際先進、完整的碳化矽襯底生産線，生産能力達到年産6萬片。企業自主研發的直徑4英寸、6英寸高純半絕緣型和導電型碳化矽單晶襯底，經專家和客戶驗證達到了國際先進水平。

同光晶體與中電科十三所、五十五所建立穩定合作關系，成為其主要供貨商。企業将高品質産品成功應用到了我國5G基建建設中，打破了國際壁壘，破解了産業發展 “卡脖子”問題，實現了國家芯片關鍵材料的自主可控。

二、企業實力

同光晶體堅持“核心技術、關鍵技術企之重器，必須立足自己”的創新理念，走出一條具有同光特色的創新驅動發展道路。企業密切與中科院半導體所合作，深度融合産學研，引進李樹深、夏建白、鄭厚植院士三名院士，設立院士工作站、博士後科研工作站。2013年與中科院半導體所成立“SiC單晶材料與應用研究聯合實驗室”。2014年設立院士工作站。2015年企業成為中科院半導體所駐保定市高新區重要成果轉化基地，牽頭成立“中國電谷第三代半導體産業技術創新戰略聯盟”。2016年雙方深化合作組建“第三代半導體材料聯合研發中心”。2017年主導搭建 “第三代半導體材料檢測平台”。2016年同光晶體“李樹深碳化矽單晶研發創新團隊”作為河北省20家高層次創新團隊之一，受到河北省委、省政府表彰。

三、企業技術成果

同光晶體自成立以來，潛心沉澱，艱苦攻關，形成具有自主知識産權的完整技術路線，授予專利70項，其中發明專利18項，主持行業标準1項，企業标準2項，多項産品獲科技進步獎。在科研項目方面，2014年同光晶體主持國家863“大功率GaN電子器件用大尺寸SiC襯底制備及外延技術研究”課題，2016年參與了國家重點研發計劃“中低壓SiC材料、器件及在電動汽車充電設備中的應用示範”項目，2019年同光晶體承擔國家技術改造工程“直徑6英寸碳化矽單晶襯底改造”項目，共3項國家級項目；此外同光晶體還承擔省級研究課題10餘項，科技成果豐碩。

四、企業中長期規劃

一是河北同光科技發展有限公司10萬片SiC襯底擴産。2020年3月22日，同光晶體與涞源縣政府合作碳化矽單晶襯底項目正式簽約，總投資10億元，建設資金已到位，計劃搭建600台單晶生長爐，目前基礎設施建設進入到封頂階段，預計2021年8月份一期投産，全部達産可實現年産4英寸和6英寸襯底10萬片，産值15億元左右。

二是2021年啟動2000台單晶爐擴産任務。預計本次總投資40億元，年産60萬片6英寸SiC襯底，年産值達70億元左右，2025年全部投産，屆時同光晶體将成為世界上最重要的碳化矽襯底供應商。

福利

五險一金，法定假日；

免費工作餐；

員工體檢；

定期福利；

可提供住宿

聯系方式

人力資源部： 孔先生

電 話：0312-3915048

招聘郵箱：zp@synlight.cn